机译:(00l)取向的Li₀.₃Ni₀.₇O2包覆MgO基体上Pb₀.₀Sr₀.₆TiO₃薄膜的外延生长和介电性能
机译:(00l)取向金属Li_(0.3)Ni_(0.7)O_2包覆MgO衬底上Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3薄膜的外延生长和介电性能
机译:通过脉冲激光沉积在(100)MgO衬底上生长的成分梯度(Ba,Sr)TiO_3薄膜的外延生长,介电响应和微观结构
机译:在具有MgO缓冲层的Si上生长的高(100)取向(Pb_(0.5),Sr_(0.5))TiO_3薄膜的介电性能
机译:BA {Sub} 0.6SR {Sub} 0.4TiO {Sub} 3薄膜的优选取向生长在Si(100)衬底上具有外延MgO缓冲层的薄膜
机译:硅衬底上氧化锌薄膜的外延生长和性能。
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:(00l)取向的Li₀.₃Ni₀.₇O2包覆的MgO衬底上Pb₀.₄Sr₀.₆TiO₃薄膜的外延生长和介电性能
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)