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Epitaxial growth and dielectric properties of Pb₀.₄Sr₀.₆TiO₃ thin films on (00l)-oriented metallic Li₀.₃Ni₀.₇O₂ coated MgO substrates

机译:(00l)取向的Li₀.₃Ni₀.₇O2包覆MgO基体上Pb₀.₀Sr₀.₆TiO₃薄膜的外延生长和介电性能

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摘要

Highly (00l)-oriented Li₀.₃Ni₀.₇O₂thin films have been fabricated on (001) MgO substrates by pulsed laser deposition. The Pb₀.₄Sr₀.₆TiO₃ (PST40) thin film deposited subsequently also shows a significant (00l)-oriented texture. Both the PST40 and Li₀.₃Ni₀.₇O₂have good epitaxial behavior. The epitaxial growth of the PST40 thin film is more perfect with the Li₀.₃Ni₀.₇O₂buffer layer due to the less distortion in the film. The dielectric tunability of the PST40 thin film with Li₀.₃Ni₀.₇O₂buffer layer therefore reaches 70%, which is 75% higher than that without Li₀.₃Ni₀.₇O₂buffer layer, and the dielectric loss of the PST40 thin film is 0.06.
机译:通过脉冲激光沉积在(001)MgO衬底上制备了高度(00l)取向的Li₀.₃Ni₀.₇O2薄膜。随后沉积的Pb 3·Sr 3·TiO 2(PST40)薄膜也显示出明显的(00l)取向的织构。 PST40和Li 3·3Ni 3·3O 2都具有良好的外延性能。 PST40薄膜的外延生长在Li 3·3Ni 3·3O 2缓冲层中是更完美的,这是因为该膜的变形较小。因此,具有Li 3·3Ni 3·O 2缓冲层的PST40薄膜的介电可调性达到70%,比没有Li 3·3Ni 3·3O 2缓冲层的PST40薄膜的介电可调性高75%,并且PST40薄膜的介电损耗为0.06。

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